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    ASML CEO:预计 High NA EUV 光刻机 2027~2028 年用于先进制程大规模量产

    12 月 15 日消息,ASML 首席执行官 Christophe Fouquet(克里斯托夫・富凯 / 傅恪礼)在公司总部接受彭博社专访时称,他预计 High NA EUV 光刻机将于 2027~2028 年正式投入先进制程的大规模量产作业中。

    目前在导入新一代图案化技术上最积极的是英特尔代工,其支持 High NA EUV 的 Intel 14A 节点将在 2027 年正式推出。

    Fouquet 表示,High NA EUV 光刻机目前正由英特尔等客户测试,结果显示新设备的成像和分辨率表现良好,该企业 2026 年的任务之一是与客户合作将设备的停机时间最小化。

    Fouquet 还提到,ASML 对未来 10~15 年的大致技术路线已有一定的概念。该企业已启动下一代 Hyper NA EUV 的研究,为本世纪 30 年代的投运打下基础。

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